Le Intrinsèque et Extrinsèque semi-conducteurs se distinguent les uns des autres compte tenu de divers facteurs tels que le dopage ou l’ajout de l’impureté, la densité des électrons et les trous dans le matériau semi-conducteur, la conductivité électrique et sa dépendance à l’égard de divers autres facteurs.
La différence entre les deux types de semi-conducteurs est donnée ci-dessous en détail.
| Base de différence | Semi-conducteur intrinsèque | Semi-conducteur extrinsèque |
|---|---|---|
| Dopage de l’impureté | Le dopage ou l’ajout d’impureté ne se déroule pas dans le semi-conducteur intrinsèque. | Une petite quantité d’impureté est bornée dans un semi-conducteur pur pour préparer le semi-conducteur extrinsèque. |
| Densité des électrons et des trous | Le nombre d’électrons libres dans la bande de conduction est égal au nombre de trous dans la bande de valence. | Le nombre d’électrons et de trous n’est pas égal. |
| Conductivité électrique | La conductivité électrique est faible. | La conductivité électrique est élevée |
| Dépendance de la conductivité électrique | La conductivité électrique est fonction de la température seule. | La conductivité électrique dépend de la température ainsi que de la quantité de dopage d’impureté dans le semi-conducteur pur. |
| Exemple | Forme cristalline de silicium pur et de germanium. | L’impureté comme AS, SB, P, IN, BI, AL, etc. sont bordées d’atome de germanium et de silicium. |
Semi-conducteur intrinsèque est une forme pure du semi-conducteur car ici, aucune ajout d’impureté n’a lieu. Un exemple de semi-conducteurs intrinsèques est le silicium (Si) et le germanium (GE).
En revanche, lorsqu’une petite quantité d’impureté tétravalente ou pentavalente comme l’arsenic (AS), l’aluminium (AL), le phosphore (P), le galium (GA), l’indium (in), l’antimoine (SB) etc. est ajoutée à Pure semi-conducteur, un Semi-conducteur extrinsèque est obtenu.
Différence entre semi-conducteur intrinsèque et extrinsèque
- Dans un semi-conducteur intrinsèque, l’ajout d’impureté avec un semi-conducteur pur n’a pas lieu, tandis que le semi-conducteur extrinsèque est formé par le bordel d’impureté dans un semi-conducteur pur.
- La densité des électrons et des trous dans le semi-conducteur intrinsèque est la même, c’est-à-dire que le nombre d’électrons libres présents dans la bande de conduction est égal au nombre de trous dans la bande de valence. Mais dans le cas de semi-conducteurs extrinsèques, le nombre d’électrons et de trous ne sont pas égaux. Dans un semi-conducteur de type P, les trous sont en excès et semi-conducteurs de type N, le nombre d’électrons est supérieur au nombre de trous.
- La conductivité électrique d’un semi-conducteur intrinsèque est faible, tandis que dans le semi-conducteur extrinsèque, la conductivité électrique est élevée.
- L’impureté comme l’arsenic, l’antimoine, le phosphore, l’indium en aluminium, etc. est ajoutée à la forme pure de silicium et de germanium pour former un semi-conducteur extrinsèque. La forme pure de cristal de silicium et de germanium est utilisée dans un semi-conducteur intrinsèque.
- La conductivité électrique dans un semi-conducteur intrinsèque est fonction de la température seule, mais en semi-conducteur extrinsèque, la conductivité électrique dépend de la température et de la quantité de dopage d’impureté dans le semi-conducteur pur.
De cette façon, les semi-conducteurs intrinsèques sont différents des semi-conducteurs extrinsèques.