Connexion d’émetteur commune (ou configuration CE)

Définition: La configuration dans laquelle l’émetteur est connecté entre le collecteur et la base est connue comme une configuration d’émetteur commune. Le circuit d’entrée est connecté entre l’émetteur et la base, et le circuit de sortie est tiré du collecteur et de l’émetteur. Ainsi, l’émetteur est commun à la fois à l’entrée et au circuit de sortie, et donc le nom est la configuration d’émetteur commune. L’accord d’émetteur commun pour le transistor NPN et PNP est illustré dans la figure ci-dessous.

Facteur d’amplification du courant de base (β)

Le facteur d’amplification du courant de base est défini comme le rapport de la sortie et du courant d’entrée dans une configuration d’émetteur commune. Dans l’amplification commune de l’émetteur, le courant de sortie est le courant de collecteur I_C, et le courant d’entrée est le courant de base i_B.

En d’autres termes, le rapport de variation du courant du collecteur par rapport au courant de base est connu sous le nom de facteur d’amplification de base. Il est représenté par β (bêta).

Relation entre le facteur d’amplification actuel (α) et le facteur d’amplification de base (β)

La relation entre β et α peut être dérivée comme

Nous savons,

Maintenant,

Substituant la valeur de Δi_E Dans l’équation (1), nous obtenons,

L’équation ci-dessus montre que le lorsque le α atteint l’unité, alors le β atteint l’infini. En d’autres termes, le gain de courant dans une configuration d’émetteur commun est très élevé, et pour cette raison, le circuit de disposition d’émetteur commun est utilisé dans toutes les applications de transistor.

Courant de collecteur

Dans la configuration CE, le courant d’entrée I_B et le courant de sortie i_C sont liés par l’équation ci-dessous.

Si le courant de base est ouvert (c’est-à-dire, je_B = 0). Le courant de collecteur est courant à l’émetteur, et ce courant est abrégé comme je_PDG Cela signifie le courant de collection – émetteur avec la base ouverte.

Remplacer la valeur Δi_B Dans les équations (1), nous obtenons,

Caractéristiques de la configuration de l’émetteur (CE) commune

La caractéristique du circuit de transistor d’émetteur commun est illustrée dans la figure ci-dessous. La tension de base à l’émetteur varie en ajustant le potentiomètre R₁. Et la tension collectrice à émetteur variait en ajustant le potentiomètre r₂. Pour les différents réglages, le courant et la tension sont tirés des milliammètres et du voltmètre. Sur la base de ces lectures, la courbe d’entrée et de sortie tracée sur la courbe.

Courbe caractéristique d’entrée

La courbe tracée entre le courant de base i_B et la tension de l’émetteur de base V_EB est appelé courbe des caractéristiques d’entrée. Pour dessiner la caractéristique d’entrée, la lecture des courants de base est transportée à travers l’ampèreter sur la tension d’émetteur V_ÊTRE à un courant collecteur constant. La courbe de la valeur différente du courant de collecteur est illustrée dans la figure ci-dessous.

La courbe pour la configuration de base commune est similaire à une caractéristique de diode avant. Le courant de base i_B augmentation avec les augmentations de la tension de la base d’émetteur V_ÊTRE. Ainsi, la résistance d’entrée de la configuration CE est relativement plus élevée de celle de la configuration CB.

L’effet de CE ne provoque pas une grande déviation sur les courbes, et donc l’effet d’un changement de V_CE sur la caractéristique d’entrée est ignoré.

Résistance à l’entrée: Le rapport de changement dans la tension de l’émetteur de base v_ÊTRE au changement de courant de base ∆i_B à la tension collector-émetteur constante V_CE est connu comme résistance à l’entrée, c’est-à-dire,

Caractéristique de sortie

En configuration CE, la courbe s’inspire du courant du collecteur I_C et tension collector-émetteur V_CE à un courant de base constant i_B est appelé caractéristique de sortie. La courbe caractéristique du transistor NPN typique dans la configuration CE est illustrée dans la figure ci-dessous.

Dans la région active, le courant de collecteur augmente légèrement à mesure que le collecteur-émetteur V_CE augmente le courant. La pente de la courbe est bien plus que la caractéristique de sortie de la configuration CB. La résistance à la sortie de la connexion de base commune est supérieure à celle de la connexion CE.

La valeur du collecteur courant i_C augmente avec l’augmentation de V_CE à tension constante i_Bla valeur β de de la vie augmente également.

Quand le V_CE tombe, le i_C diminue également rapidement. La jonction collector-base du transistor toujours dans le biais avant et les travaux saturés. Dans la région de saturation, le courant du collecteur devient indépendant et exempt du courant d’entrée i_B

Dans la région active I_C = βi_Bun petit courant i_C n’est pas zéro, et il est égal au courant de fuite inversé i_PDG.

Résistance à la sortie: Le rapport de la variation de la tension collectionneur-émetteur au courant de collecteur-émetteur est connu aux courants de collecteur à un courant de base constant i_B est appelé résistance à la sortie r_o.

La valeur de la résistance à la sortie de la configuration CE est supérieure à celle de CB