L’une des principales différence entre le transistor NPN et PNP est que dans le transistor NPN, le flux de courant entre le collecteur à l’émetteur lorsque l’alimentation positive est donnée à la base, tandis que dans le transistor PNP, le porte-charge de charge s’écoule de l’émetteur à collecteur lorsque l’alimentation négative est donné à la base. Le transistor NPN et PNP est différencié ci-dessous dans le tableau de comparaison en considérant les différents autres facteurs.
Le NPN et le PNP sont tous deux le transistor de jonction bipolaire. Il s’agit des dispositifs de contrôle actuels et principalement utilisés pour la commutation et l’amplification du signal. Surtout, le transistor NPN est utilisé dans le circuit car dans le transistor NPN, le courant de conduction est principalement par électrons tandis que dans le transistor PNP, le courant de conduction est dû aux trous. Comme les électrons sont plus mobiles, le NPN a une conduction élevée.
La lettre PNP et NPN montrent que la tension requise par l’émetteur, le collecteur et la base du transistor de jonction. Le transistor NPN et PNP, tous deux sont constitués de matériaux différents en raison de laquelle le courant se développe également. Parfois, lorsque la tension appliquée à travers l’émetteur, les électrons traversent la jonction de base et atteignent la région du collecteur. Cela se produit parce que la base du transistor NPN et PNP est très mince et légèrement dopée.
Contenu: transistor NPN vs PNP
- Graphique de comparaison
- Définition
- Différences clés
Graphique de comparaison
| Base de comparaison | Transistor NPN | Transistor PNP |
|---|---|---|
| Définition | Transistor dans lequel deux couche de type N sont séparées par une couche de type P | Deux blocs de semi-conducteurs de types P sont séparés par un bloc mince de semi-conducteur de type N. |
| Symbole |  |  |
| Forme complète | Positif négatif et négatif | Négatif positif et positif |
| Direction du courant | Collectionneur à émetteur | Émetteur à collectionneur |
| Exciter | Lorsque les électrons entrent dans la base. | Lorsque les trous entrent dans la base. |
| Courant intérieur | Se développer en raison de la position variable des électrons. | Proviennent de la position variable des trous. |
| Courant extérieur | Le courant se développe en raison du flux de trous. | Le courant se développe en raison du flux d’électrons. |
| Transporteur de charges majoritaires | Électron | Trou |
| Temps de commutation | Plus rapide | Ralentissez |
| Transporteur de charges minoritaires | Trou | Électron |
| Tension positive | Terminal collecteur | Terminal émetteur |
| Avant biaisé | Jonction de base d’émetteur | Jonction de base d’émetteur |
| Biaisé inversé | Jonction de base de collection | Jonction de base de collection |
| Petit courant | Coule de l’émetteur à base | Base à émetteur |
| Signal de base | Faible | Haut |
Définition du transistor PNP
Le transistor PNP a deux blocs de matériau de type P et un bloc de matériau de type N. Il a trois terminaux émetteur, base et collectionneur. L’émetteur et le collecteur du transistor PNP sont constitués de matériaux de type P et leur base est composée de matériaux de type N.
La jonction de base d’émetteur de PNP est connectée dans le biais de l’avant tandis que la jonction de base de collection est connectée en biais inverse. La jonction de base d’émetteur pousse le transporteur de charge majoritaire vers la base, a ainsi établi le courant d’émetteur. Le trou dans le matériau de type P se combine avec le matériau de type N constituent donc le courant de base. Le trou restant atteint à travers la région collective-base biaisée négativement et collecté par le collecteur en raison duquel le courant du collecteur se développe. Ainsi, le courant d’émetteur complet traverse le circuit collecteur.
Courant émetteur = courant de collecteur + courant de base
Définition du transistor NPN
Définition du transistor NPNLe transistor NPN se compose de deux matériaux semi-conducteurs de type N qui sont séparés par une fine couche de matériau de type P. Le collecteur est la région la plus épaisse et la base est la région la plus mince du transistor NPN. La région d’émetteur de l’émetteur du transistor est en biais directe et la région de base des collections est connectée en biais inverse. La tension du biais inverse est considérablement plus petite par rapport au biais inversé.
La jonction de base d’émetteur est en polarisation avant en raison duquel un grand nombre d’électrons est atteint jusqu’à la base. Cela développe le courant d’émetteur. L’électron dans la région de base combinée avec les trous. Mais la base est très mince et légèrement dopée, donc seulement de petits trous combinés avec les électrons et constituent le courant de base. Les électrons restants atteignent la région de la base des collecteurs et développent le courant du collecteur. L’ensemble du courant d’émetteur traverse le circuit collecteur.
Courant émetteur = courant de collecteur + courant de base
Différences clés entre le transistor NPN et PNP
- Le transistor NPN a deux blocs de matériaux semi-conducteurs de type N et un bloc de types P de matériaux semi-conducteurs tandis que le transistor PNP a une fine couche de matériau de type P et deux couches épaisses de matériau de type N.
- Le symbole du NPN et le transistor PNP sont presque le même que la seule différence entre eux est la direction de la flèche qui est basée sur l’émetteur. Dans le transistor NPN, la tête de la flèche se déplace vers l’extérieur vers la base et dans PNP, la flèche se déplace vers l’intérieur.
- Dans le transistor NPN, le flux de courant du collecteur à l’émetteur car une alimentation positive est donnée à la base, tandis que dans le transistor PNP, le courant circule de l’émetteur au collecteur.
- Le transistor NPN se retourne lorsque l’électron entre dans la base tandis que le transistor PNP est activé lorsque les trous entrent dans la base.
- Le courant intérieur dans le transistor NPN constitue en raison de la position variable des électrons alors que dans le transistor PNP, le courant intérieur est dû à la position variable des trous.
- Dans le transistor NPN, le courant de sortie existe car les flux des trous et en PNP, il est constitué en raison des flux des électrons.
- Dans le transistor NPN, le support de charge majoritaire est électronique tandis que dans le transistor PNP, le trou majoritaire est le porte-charge majoritaire.
- Le support de charge minoritaire du transistor NPN est le trou et dans le transistor PNP, il s’agit d’électrons.
- Le temps de commutation du transistor NPN est plus par rapport au transistor PNP car le support de charge majoritaire du transistor NPN est un électron.
- La jonction de base d’émetteur du transistor NPN et PNP est connectée dans le biais de l’avant.
- Remarque: La jonction de base avant signifie que la borne P de la diode est connectée à la borne positive de l’alimentation et le matériau de type N est connecté à la borne négative de l’alimentation
- La jonction de base du collecteur du transistor NPN et PNP est connectée dans un biais inversé.
- Remarque: Le biais inversé signifie que la région négative est connectée à la terminale positive de l’alimentation et que la région p est connectée à la borne positive de l’alimentation.
- Le transistor NPN s’allume lorsque le petit courant circule de l’émetteur à la base, tandis que pour allumer le transistor PNP, le petit courant circule de la base à l’émetteur.
- Le signal de sol du transistor PNP est maintenu bas, tandis que dans le transistor PNP, le signal de sol est élevé.
La clé de l’action du transistor est une base légèrement dopée entre le collecteur et l’émetteur fortement dopés.